歡迎來到北京京誠宏泰科技有限公司!
Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
三菱IPM模塊PM50RVA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM50RVA120,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
4011
三菱IPM模塊PM75CSD120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM75CSD120,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
3749
三菱IPM模塊PM50RLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM50RLA120,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
4061
三菱IPM模塊PM75CVA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM75CVA120,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
4113
三菱IPM模塊PM75RHA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM75RHA120,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
3775
三菱IPM模塊PM75CLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM75CLA120,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
3862
三菱IPM模塊PM75RLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM75RLA120,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
4703
三菱IPM模塊PM75RHA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,PM75RHA060,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
經(jīng)銷商
3596
C
CODE聯(lián)系電話:15010040708
聯(lián)系郵箱:1316056746@qq.com
公司地址:北京市朝陽區(qū)中東路398號
Copyright © 2025 北京京誠宏泰科技有限公司版權(quán)所有 備案號:京ICP備13035189號-3 技術(shù)支持:智能制造網(wǎng)